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深圳安尔芯科技有限公司

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供应双极低电压霍尔开关 深圳霍尔开关原厂AR251
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产品: 浏览次数:24供应双极低电压霍尔开关 深圳霍尔开关原厂AR251 
品牌: 安尔芯
工作电压: 1.65-6V
极性: 双极
功耗: 5UA
单价: 0.01元/个
最小起订量: 1000 个
供货总量: 1000000 个
发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
有效期至: 长期有效
最后更新: 2017-12-19 14:31
 
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详细信息
 AR251全极高灵敏度低电压霍尔开关

    霍尔元件AR251是基于CMOS工艺设计和生产的霍尔IC,元件内部集成了霍尔效应片、电压调节器、休眠唤醒控制电路、信号放大滤波电路、偏移补偿电路、施密特触发器,互补推挽输出。它是一种双磁极性磁感应开关,能够感应到磁体的N极和S极的磁场强度,AR251通过周期性休眠和唤醒工作,达到降低功耗的作用。,唤醒期间检测环境磁场强度,休眠状态保持最后输出状态。

    霍尔磁性开关AR251有TSOT-23、TO-92S,超小超薄DFN封装,适合用于越来越轻薄的便携移动设备中,所有封装都符合RoSH环保标准。

产品特性及优点

 

低功耗,IDD=5uA

等同敏感N和S极

互补推挽输出

灵敏度温漂小

高灵敏度

工作电压1.65~4.5V

无铅封装:SOT-23/TSOT-23/TO-92/DFN

霍尔开关又分:单极性霍尔开关、双极性霍尔开关、无极性霍尔开关(或全极性霍尔开关),这里的极性是指磁铁的极性N极(北极)或S(南极)极,那么单极性霍尔开关是指开关的正反面会指定磁场某一极性靠近离开才会有开关效应。一般情况单极霍尔开关的的正面(字面)会指定磁场S极有效,霍尔开关的反面靠近N极有效 ,欢迎致电,为您提供指导选型,让您开发无优! 

1、单极霍尔效应开关(数字输出)

单极霍尔效应开关具有磁性工作阈值 (Bop)。如果霍尔单元承受的磁通密度大于工作阈值,那么输出晶体管将开启;当磁通密度降至低于工作阈值 (Brp) 时,晶体管会关闭。滞后 (Bhys) 是两个阈值 (Bop-Brp) 之间的差额。即使存在外部机械振动及电气噪音,此内置滞后页可实现输出的净切换。单极霍尔效应的数字输出可适应各种逻辑系统。这些器件非常适合与简单的磁棒或磁杆一同使用。单极性霍尔开关它的正反面会各指定一个磁极感应才会有作用,在具体应用当中应该注意磁铁的磁极的安装,反了就会造成单极性不感应输出。

2、双极霍尔效应开关(数字输出)

双极性霍尔具体又分双极性不带锁存型霍尔开关和双极性锁存型霍尔开关。

双极霍尔效应开关通常在南极磁场强度足够的情况下打开,并在北极磁场强度足够的情况下关闭,但如果磁场被移除,则是随机输出,有可能是打开,也有可能是关闭。双极锁存型霍尔效应开关通常在南极磁场强度足够的情况下打开,并在北极磁场强度足够的情况下关闭,但如果磁场被移除,不会更改输出状态。这些霍尔效应开关可使用南北交变磁场、多极环磁铁进行磁驱动。

3、双极锁存型霍尔效应开关(数字输出)

当置于n极(或s极)时开启,磁场移除后继续保持开启;而只有当置于s极(或n极)时才会关闭,磁场移除后继续保持其开启或关闭状态,直到下次磁场改变。这种保持上次状态的特性即锁存特性,这种类型的霍尔效益开关即双极锁存型霍尔效应开关。

4、全极霍尔效应开关(数字输出)

与其他霍尔效应开关不同,只要存在强度足够大的北极或南极磁场,这些器件就能打开;而在没有磁场的时候,输出会关闭。

5、线性霍尔效应传感器 IC(模拟输出)

线性霍尔效应传感器 IC 的电压输出会精确跟踪磁通密度的变化。在静态(无磁场)时,从理论上讲,输出应等于在工作电压及工作温度范围内的电源电压的一半。增加南极磁场将增加来自其静态电压的电压。相反,增加北极磁场将增加来自其静态电压的电压。这些部件可测量电流的角、接近性、运动及磁通量。它们能够以磁力驱动的方式反映机械事件。

6、微功耗型霍尔效应开关(数字输出)

随着手机、笔记本电脑、DV等便携式设备的普及,对霍尔IC的功耗提出要求,由此产生了一大类新的霍尔IC。它是数字霍尔IC按功耗单独分出的一类,其内部采用休眠机制降低功耗,平均功耗可以达到uA级。它也可按功能分为单级型霍尔IC、锁定型霍尔IC、和全级霍尔IC三类。这类一般用于电池长期供电的系统。

霍尔元件应用霍尔效应的半导体。
  所谓霍尔效应,是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时,产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。当电流通过金属箔片时,若在垂直于电流的方向施加磁场,则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显,而铁磁金属在特定温度以下将呈现极强的霍尔效应。
  利用霍尔效应可以设计制成多种传感器。霍尔电位差UH的基本关系为:
  UH=RHIB/d (1) RH=1/nq(金属) (2)
  式中 RH――霍尔系数;n――单位体积内载流子或自由电子的个数;q――电子电量;I――通过的电流;B――垂直于I的磁强度;d――导体的厚度。
  对于半导体和铁磁金属,霍尔系数表达式和式(2)不同,此处从略。
  由于通电导线周围存在磁场,其大小和导线中的电流成正比,故可以利用霍尔元件测量出磁场,就可确定导线电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不和被测电路发生电接触,不影响被测电路,不消耗被测电源的功率,特别适合于大电流传感。
  若把霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中,则在该元件中将产生电流I,元件上同时产生的霍尔电位差和电场强度E成正比,如果再测出该电磁场的磁场强度,则电磁场的功率密度瞬时值P可由P=EH确定。
  利用这种方法可以构成霍尔功率传感器。
  如果把霍尔元件集成的开关按预定位置有规律地布置在物体上,当装在运动物体上的永磁体经过它时,可以从测量电路上测得脉冲信号。根据脉冲信号列可以传感出该运动物体的位移。若测出单位时间内发出的脉冲数,则可以确定其运动速度。


 

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